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深度触及学科前沿的科学研究，拥有无法抗拒的魔力，总会让人为之迷醉沉思。
当今芯片“存”“算”性能失配，存储墙导致访存时延高，效率低，冯诺依曼架构下，数据传输导致严重的功耗损失，严重影响到了芯片的算力，要是能够打破存储墙的束缚，芯片的算力将会成指数级别的增长，拥有强大算力的芯片一定会深刻地改变这个世界和人类的生活方式。
无论是dram还是flash，科学家们早就看到了冯诺依曼架构的局限性，打破存储墙这个研究课题早已经在国际学术界引起了广泛的讨论。
早在1971年，加州大学伯克利分校的蔡少棠教授根据电子学理论，就预测到了忆阻器，他认为在电阻器、电容器及电感元件之外，还存在电路的第四种基本元件。
提到忆阻器（memristor）这种被动电子元件，它的某些特征如同电阻器，它能够产生并维持一股安全的电流通过某个装置，但是与电阻器不同的地方在于，忆阻器可以在关掉电源后，仍能“记忆”先前通过的电荷量，两组的忆阻器更能产生与晶体管相同的功能，但更为细小。
到了2000年左右，研究人员在多种二元金属氧化物和钙钛矿结构的薄膜中发现了电场作用下的电阻变化，并应用到了下一代高速非易失性内存阻抗存储器中。
今年，这种研究开始从实验室尝试走向产业化，unity semiconductor宣布将在2010年制成64gbit非易失性电阻式ram，他们正在寻找一家idm合作建厂来制造该产品是基于最常见的硅氧化物开发的新型内存芯片。
科学的发展让人心潮澎湃！
路伟教授这次去上海，就是去跟复旦大学微电子学院的资深教授展开这个课题的讨论，他们想一起打破存储墙的魔咒。
一旦新的存储芯片诞生，势必将打破这堵存储墙，将推动大算力芯片飞速发展，为未来的人工驾驶和ai产业发展奠定坚实的基础。
那将是芯片行业一次激动人心的革新。
对于即将到来的研究生生活，辛佟的研究方向并不明晰，听了路伟教授的指导，如同醍醐灌顶一般，他决定要投入到存储芯片的研究。
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